行業(yè)人士透露，三星正在為第七代 HBM（HBM4E）的 base die 評估 2nm 制程工藝。
從原理層面講，HBM 由 core die 和 base die 組成，前者是垂直堆疊的 DRAM，后者則是起控制器作用。在 HBM3E 之前，base die 只負責較為簡單的控制功能，但從 HBM4 時代開始，它需要直接處理部分計算任務，邏輯電路功能得到加強，重要性顯著提升。
為了提升 HBM4 的性能，三星電子已經(jīng)找到三星晶圓代工部門生產(chǎn) 4nm 工藝 base die，并結合了最先進的 1c DRAM（第六代 10nm 工藝），成功領先采用臺積電 12nm 工藝的 SK 海力士。
半導體行業(yè)預計，從 HBM4E 開始，面向客戶定制的 HBM 芯片將正式出現(xiàn)，其中三星計劃年中發(fā)布標準版 HBM4E，下半年則根據(jù)客戶安排為定制產(chǎn)品進行首次 tape-in
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